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元件参数资料
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参数目录40176
> FDW2501NZ MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
型号:
FDW2501NZ
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDW2501NZ PDF
标准包装
2,500
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
18 毫欧 @ 5.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1286pF @ 10V
功率 - 最大
600mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装
8-TSSOP
包装
带卷 (TR)
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